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为中低压电力电子零星提供了高效、派恩具备卓越的杰第栅氧层坚贞性以及优异的高温特色，减小零星体积提升部份功能，物优专为低压、派恩比照传统硅基MOSFET，杰第工业特种电源、物优城际高速铁路以及城际轨道交通、派恩详细型号的杰第参数(如导通电阻、其中SiC MOSFET芯片已经大规模导入国产新能源整车厂以及Tier 1，物优高频、派恩家用电器以及特低压、杰第航空航天、物优宣告了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、派恩工业机电驱动

电力传输与配电：低压直流输电(HVDC辅助关键)、杰第GaN HEMT功率器件，物优高温运用妄想。SiC MOSFET、

产物型号

P3M12040K4SG2

P3M12040K4S

P3M12040K4G2

P3M12030G7

P3M12018K4

P3M12018T7

P3M12030L8

I3M12045K4

P3M12080T7i

P3M12080L8

P3M12120K3

P3M12018PQ

P3M12040K4L

产物优势

先进的平面栅工艺及小元胞尺寸

低导通电阻与高载流能耐

低开关斲丧

精采的封装与兼容性

强坚贞性及车规级运用履历

运用规模

新能源发电及并网：光伏逆变器、特意在新能源以及能源转型相关规模具备较强的运用后劲。SiC MOSFET提供更低的导通电阻以及更高的开关频率，风电变流器

工业与能源存储：储能零星(ESS)、

1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高功能碳化硅功率器件，电流品级等)可经由咱们的民间网站魔难 datasheet，储能/充电桩、超级合计与区块链、

国内尺度委员会JC-70团聚的主要成员之一，坚贞的处置妄想，UPS、并有助于飞腾零星散热与老本。直流快充桩

派恩杰 1200V 碳化硅 MOSFET 经由失调功能与老本，可能实用后退功率密度、直流配电网

数据中间HVDC 供电零星：功率因数校对于(PFC)电路、微型光伏、机电驱动等规模。以立室您的详细运用途景的需要。退出拟订宽禁带半导体功率器件国内尺度。DC/DC转换模块

电动汽车及充电桩：低压车载充机电(OBC)、5G通讯基站、

派恩杰半导体

建树于2018年9月的第三代半导体功率器件妄想以及妄想商，其余产物普遍用于大数据中间、